本公開涉及集成電路，更具體地，涉及用于保護(hù)集成電路的雙向靜電釋放（electrostatic?discharge，esd）保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
1、當(dāng)靜電源（例如人體）接觸到集成電路時(shí)，可能出現(xiàn)esd脈沖。由于該esd脈沖在很短的時(shí)間內(nèi)便可以達(dá)到幾千伏特，因而可能會(huì)使集成電路遭受esd損壞。因此在芯片設(shè)計(jì)中，esd保護(hù)電路為集成電路中不可或缺的部分，用于保護(hù)芯片內(nèi)部的器件不受esd損傷，提高芯片或系統(tǒng)的可靠性。
2、當(dāng)集成電路耦接在兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間時(shí)，esd保護(hù)電路也耦接在兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間。通常，esd保護(hù)電路為一個(gè)esd二極管，當(dāng)出現(xiàn)esd事件后，esd保護(hù)電路將提供通道釋放靜電。然而，該靜電釋放通道是單向的，當(dāng)出現(xiàn)負(fù)壓靜電或者噪音電壓時(shí)，該esd二極管將會(huì)正向?qū)?，?duì)集成電路形成干擾。
3、因此，需要一種esd保護(hù)電路，其至少能夠解決上述esd保護(hù)電路所帶來(lái)的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開的目的是提供一種雙向esd保護(hù)電路以解決相關(guān)技術(shù)中的問題。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面提供了一種雙向esd保護(hù)電路。其包括：串聯(lián)連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的第一二極管和第二二極管，當(dāng)出現(xiàn)靜電事件時(shí)，第一二極管和第二二極管任意一個(gè)將被反向擊穿以實(shí)現(xiàn)esd保護(hù)，其中，第一二極管的陰極耦接第一節(jié)點(diǎn)，第一二極管的陽(yáng)極與第二二極管的陽(yáng)極耦接形成公共節(jié)點(diǎn)，第二二極管的陰極耦接第二節(jié)點(diǎn)；第一電阻，耦接在公共節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間。
3、根據(jù)本公開實(shí)施例的第二方面提供一種雙向esd保護(hù)電路。其包括：串聯(lián)連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的第一二極管和第二二極管，當(dāng)出現(xiàn)靜電事件時(shí)，第一二極管和第二二極管任意一個(gè)將被反向擊穿以實(shí)現(xiàn)esd保護(hù)，其中，第一二極管的陽(yáng)極耦接第一節(jié)點(diǎn)，第一二極管的陰極與第二二極管的陰極耦接形成公共節(jié)點(diǎn)，第二二極管的陽(yáng)極耦接第二節(jié)點(diǎn)；偏置電壓源，耦接至公共節(jié)點(diǎn)，用于在公共節(jié)點(diǎn)上設(shè)置一個(gè)偏置電壓。
4、本公開的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說(shuō)明。
1.一種雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，所述第二節(jié)點(diǎn)包括接地焊盤。
5.一種雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，所述偏置電壓為正電壓，且所述偏置電壓小于所述第一二極管和第二二極管的反向擊穿電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，所述第二節(jié)點(diǎn)包括集成電路的接地焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，所述雙向esd保護(hù)電路進(jìn)一步包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的雙向esd保護(hù)電路，其特征在于，