【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及電子技術(shù)，特別是涉及一種窄線路的制作方法。

背景技術(shù)：

電容式觸摸屏以其高靈敏度，長壽命和便捷的操作性能，而廣泛的應(yīng)用于手機、平板電腦、MP3、MP4和ATM等終端設(shè)備的輸入硬件。其工作原理是利用m根X線和n根Y線將m*n個陣列電容的上下極板引到控制器中去，通過控制器掃描每個電容的變化來監(jiān)測觸摸點的移動及定位的。隨著觸摸屏尺寸不斷增大、邊框不斷變窄，兩側(cè)的n根Y線的走線將因為布線空間有限而變得比較困難。

目前電容式觸摸屏的引線制造方式通常為印刷細線銀漿。絲網(wǎng)印刷技術(shù)因其設(shè)備要求簡單，歷史悠久而應(yīng)用比較廣泛，但是國內(nèi)在應(yīng)用絲網(wǎng)印刷細線路上還存在經(jīng)驗不足，其工藝影響條件繁雜，穩(wěn)定性難以控制。目前國內(nèi)的絲網(wǎng)印刷的制程能力大概控制在線寬/線距為100um/100um，難以滿足線路尺寸日益縮小的要求。為此，還可采用曝光顯影技術(shù)加工制造出30um/30um的線寬線距的窄線路，但其設(shè)備昂貴，投資成本較高，經(jīng)濟效益欠佳。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述狀況，有必要提供一種成本較低，又能夠提供尺寸較小的線路的窄線路的制作方法。

一種窄線路的制作方法，包括以下步驟：

在基材上形成一層金屬導電層；

按照預設(shè)的線路圖對所述金屬導電層進行激光雕刻，并控制所述激光光斑的直徑在30微米到40微米內(nèi)，從而在所述基材上得到窄電路。

進一步地，在所述窄電路形成之后，所述窄線路的制作方法還包括：

為所述窄電路覆蓋保護膜。

進一步地，還包括：

檢查所述窄電路的通斷情況，并剔除其中不合格的產(chǎn)品。

進一步地，所述窄電路通過顯微鏡檢查通斷情況。

進一步地，所述金屬導電層通過蒸鍍的方式形成于所述基材上。

進一步地，所述金屬導電層通過印刷導電銀漿的方式形成于所述基材上。

進一步地，，在進行所述按照預設(shè)的線路圖對所述金屬導電層進行激光雕刻的步驟之前，還包括：

將形成有金屬導電層的基材置于烤箱中烘烤，直至所述金屬導電層被烘干。

進一步地，，烘烤溫度為120～160攝氏度，烘烤時間為30～120分鐘。

進一步地，所述激光的功率為10～25瓦，頻率為150～250千赫茲，光斑移動速度為1000～3000毫米每秒。

進一步地，，所述金屬導電層的厚度為0.1微米至6微米。

上述窄線路的制作方法，首先在基材上制作一層金屬導電層，然后通過激光按照預設(shè)的雕刻線路對金屬導電層進行雕刻，并控制激光光斑的直徑在30微米到40微米內(nèi)，得到所需尺寸的窄電路。上述方法所需的主要元件為激光器，不需要昂貴的設(shè)備，從而可以有效的降低成本。并且，把激光光斑的直徑控制在較小的范圍內(nèi)，可得到尺寸較小的窄線路。因此，通過上述窄線路的制作方法既能獲得較小尺寸的窄線路，又能有效的節(jié)約成本

【附圖說明】

圖1為實施例一的窄線路的制作方法的流程圖；

圖2為實施例二的窄線路的制作方法的流程圖；

圖3為實施例三的窄線路的制作方法的流程圖。

【具體實施方式】

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。

請參閱圖1，實施例一的窄線路的制作方法包括步驟S110～S120。

步驟S110，在基材上形成一層金屬導電層。

其中，基材可為玻璃或?qū)Ρ蕉姿嵋叶减?PET)。金屬導電層的厚度控制在0.1微米至6微米之間。

在一個實施例中，金屬導電層可通過蒸鍍的方式形成于基材上。采用蒸鍍的方式獲得的金屬導電層薄膜的純度高，且易于檢測和控制金屬導電膜的厚度。

在另一個實施例中，還可通過印刷導電銀漿的方式在基材上金屬導電層還可通過印刷導電銀漿的方式形成于基材上。

在本實施例中，進行按照預設(shè)的線路圖對金屬導電層進行激光雕刻的步驟之前，還包括將形成有金屬導電層的基材置于烤箱中烘烤，直至金屬導電層被烘干的步驟。具體地，將印刷有導電銀漿的基材置于烤箱中烘烤，直至導電銀漿被烘干。在本實施例中，烘烤溫度為120～160攝氏度，烘烤時間為30～120分鐘。可以理解的是，溫度和時間可根據(jù)導電銀漿的濃度和金屬導電層的厚度發(fā)生改變。

步驟S120，按照預設(shè)的線路圖對金屬導電層進行激光雕刻，并控制激光光斑的直徑在30微米到40微米內(nèi)，從而在基材上得到窄電路。

激光雕刻受控制器的控制，控制器可為計算機以及與計算機連接的自動化裝置。激光雕刻的線路圖已經(jīng)根據(jù)所需電路的要求設(shè)計成電子圖紙，并預先存儲于計算機中，計算根據(jù)電子圖紙機控制自動化裝置移動，從而帶動激光按照預先設(shè)置的線路圖進行雕刻，進而獲得所需要的窄電路。在本實施例中，激光器的功率為10～25瓦，在該功率下既能完全刻除金屬導電層，又不會燒壞電路。激光頻率為150～250千赫茲，光斑移動速度為1000～3000毫米每秒，光斑速度與激光的速度配合，使激光雕刻的路線連續(xù)不間斷。發(fā)出激光的激光器的電流百分比為50％～80％。激光光斑的直徑在30微米至40微米之間，故可得到30um/30um線寬線距的窄線路。需要指出的是，可根據(jù)對窄電路的線寬線距不同的要求，調(diào)節(jié)激光光斑直徑的大小。

請參閱圖2，實施例二的窄線路的制作方法包括步驟S210～S230。

步驟S210，在基材上形成一層金屬導電層。

步驟S220，按照預設(shè)的線路圖對所述金屬導電層進行激光雕刻，并控制激光光斑的直徑在30微米到40微米內(nèi)，從而在所述基材上得到窄電路。

步驟S230，為窄電路覆蓋保護膜。

窄電路的精密度很高，線距和線寬均很小。為窄電路覆蓋上一層保護膜可以有效的防止帶電的粉塵污染窄電路，從而造成短路的情況。同時，由于窄電路的線寬小，線路很脆弱，保護膜能有效的避免機械損傷，延長窄電路的使用使命，從而延長使用該窄電路的電子設(shè)備的壽命。

請參閱圖3，實施例三的窄線路的制作方法包括步驟S310～S330。

步驟S310，在基材上形成一層金屬導電層。

步驟S320，按照預設(shè)的線路圖對所述金屬導電層進行激光雕刻，并控制激光光斑的直徑在30微米到40微米內(nèi)，從而在所述基材上得到窄電路。

步驟S330，檢查所述窄電路的通斷情況，并剔除其中不合格的產(chǎn)品。

由于窄電路的精度高，在激光雕刻的過程中難以避免會有本應(yīng)連通的線路被切斷了，導電金屬層上本應(yīng)斷開的位置沒有雕刻干凈，從而造成電路不合格。因此，在得到窄電路后需要對窄電路的通斷情況進行檢查，然后剔除檢查不合格的產(chǎn)品。

在本實施例中，所述窄電路的通斷情況的方式為在顯微鏡下觀察窄電路的通斷。需要指出的是，還可以采取其他方式如，在窄電路兩端加上電壓，然后檢測各點的電壓值，并于理論計算的值相比較，從而判斷窄電路是否合格。

需要指出的是，在其他實施例中，窄線路的制作方法可同時包括上述步驟S230及步驟S330。

上述窄線路的制作方法，首先在基材上制作一層金屬導電層，然后通過激光按照預設(shè)的雕刻線路對金屬導電層進行雕刻，并控制激光光斑的直徑在30微米到40微米內(nèi)，得到所需尺寸的窄電路。上述方法不需要昂貴的設(shè)備，主要元件為激光器，從而可以有效的降低成本。并且，若把激光光斑的直徑控制在較小的范圍內(nèi)，可得到尺寸較小的窄線路。因此，通過上述窄線路的制作方法既能獲得較小尺寸的窄線路，又能有效的節(jié)約成本

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。