技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在沿著反射傘所配置的閃光放電管的外周面上設(shè)有觸發(fā)電極的頻閃裝置、和搭載有頻閃裝置的攝像裝置。

背景技術(shù)：

近年，就數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)等攝像裝置而言，用于向被攝物體提供充分的光量的頻閃裝置被內(nèi)置或被另行安裝。

而且，所搭載的頻閃裝置，具有至少具備觸發(fā)電極的閃光放電管和驅(qū)動(dòng)電路，利用從驅(qū)動(dòng)電路外加到觸發(fā)電極上的電壓，使閃光放電管瞬間性地發(fā)光。

以下，使用圖4說(shuō)明一般的頻閃裝置的構(gòu)成和工作。圖4是說(shuō)明驅(qū)動(dòng)頻閃裝置的閃光放電管的驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成的圖。

如圖4所示，驅(qū)動(dòng)電路由如下構(gòu)成：與電池電源4并聯(lián)連接的、例如由電容器等構(gòu)成的蓄電元件3；升壓變換電路5；控制部6；觸發(fā)電路7；開(kāi)關(guān)電路8。于是，對(duì)于在閃光放電管1的外周面所設(shè)置的、例如由透明導(dǎo)電膜等構(gòu)成的觸發(fā)電極2，從觸發(fā)電路7外加電壓，而使之發(fā)光。在此，電池電源4向蓄電元件3供給電力。升壓變換電路5使電池電源4的電壓升壓，控制部6控制頻閃裝置整體。觸發(fā)電路7在使閃光放電管1發(fā)光的時(shí)刻向觸發(fā)電極2外加電壓。開(kāi)關(guān)電路8根據(jù)拍攝所需要的發(fā)光量，控制閃光放電管1的發(fā)光時(shí)間。

就上述構(gòu)成的頻閃裝置而言，若電壓從驅(qū)動(dòng)電路的觸發(fā)電路7被瞬間性地外加到閃光放電管1的觸發(fā)電極2上，則蓄電元件3所蓄積的電力被消耗，閃光放電管1閃爍發(fā)光。然后，從閃光放電管1放射的閃爍發(fā)光，直接或經(jīng)由反射傘等的光線控制構(gòu)件而進(jìn)行反射和匯聚，瞬間地照明被攝物體。

但是，因?yàn)樵陂W光放電管1的外周涂布有透明導(dǎo)電膜作為觸發(fā)電極2，所以閃爍發(fā)光的光的一部分被透明導(dǎo)電膜吸收。因此，閃爍發(fā)光的光向被攝物體的照射效率降低這樣的課題存在。

因此，為了防止對(duì)被攝物體的照射效率的降低，使作為觸發(fā)電極設(shè)置有透明導(dǎo)電膜的閃光放電管的發(fā)光效率得以提高的頻閃裝置被公開(kāi)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

以下，對(duì)于專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的頻閃裝置，使用圖5A和圖5B進(jìn)行說(shuō)明。圖5A是現(xiàn)有的頻閃裝置的正視圖。圖5B是現(xiàn)有的頻閃裝置的側(cè)視圖。

如圖5A和圖5B所示，現(xiàn)有的頻閃裝置的閃光放電管1，在閃光放電管1的外周面之中，僅在不直射被攝物體(圖中的箭頭側(cè))的一側(cè)涂布透明導(dǎo)電膜設(shè)置為觸發(fā)電極2，在直射被攝物體的一側(cè)設(shè)置不涂布透明導(dǎo)電膜的非涂布部9。然后，閃光放電管1以下述方式裝配，即，在截面大致為拋物線形狀的反射傘內(nèi)，觸發(fā)電極2被配置于與反射傘的開(kāi)口部對(duì)置的底部側(cè)，非涂布部9側(cè)在反射傘的開(kāi)口部側(cè)露出。

由此，在閃光放電管1的被攝物體側(cè)，不配置吸收所發(fā)出的光的、例如構(gòu)成觸發(fā)電極2的透明導(dǎo)電膜等的構(gòu)件。因此，向被攝物體側(cè)放射的光的透過(guò)量增加，而使閃光放電管1的發(fā)光效率和照射效率能夠提高。

但是，在上述構(gòu)成的閃光放電管1中，由于外加于觸發(fā)電極2的觸發(fā)信號(hào)而在閃光放電管1內(nèi)發(fā)生的離子化區(qū)域，從閃光放電管1的軸心向觸發(fā)信號(hào)所外加的觸發(fā)電極2側(cè)偏移地發(fā)生。于是，由閃光放電管1發(fā)射的閃光，位移至反射傘的底部側(cè)而發(fā)生反射。因此，照射到被攝物體的配光的范圍變窄。

另外，使閃光放電管1以小光量發(fā)光時(shí)，通過(guò)縮短電壓的外加時(shí)間、或降低電壓，而使閃光放電管1以小光量發(fā)光。因此，在閃光放電管1內(nèi)發(fā)生的離子化區(qū)域的位置不穩(wěn)定地位移(晃動(dòng))。其結(jié)果是，被攝物體的照射面的光軸上的明亮度按每次發(fā)光而發(fā)生變化。

以下，就上述配光特性，使用圖6說(shuō)明具體驗(yàn)證的結(jié)果。

圖6是表示現(xiàn)有的頻閃裝置的配光特性的圖。還有，圖6表示觸發(fā)電極2設(shè)置在閃光放電管1的反射傘的底部側(cè)時(shí)，在橫軸取角度θ(參照?qǐng)D5B)的配光特性。而且，圖6的實(shí)線表示閃光放電管以最大的光量發(fā)光時(shí)的配光特性，虛線表示閃光放電管以最大的光量的1/256的小光量發(fā)光時(shí)的配光特性。

由圖6可知，以小光量發(fā)光的配光特性，比以最大的光量發(fā)光的配光特性狹窄。

其次，使用圖7對(duì)于上述光的明亮度的分散進(jìn)行說(shuō)明。圖7是表示現(xiàn)有的頻閃裝置發(fā)射的光的平均值所對(duì)應(yīng)的曝光值的分散的圖。還有，圖7中是在觸發(fā)電極2設(shè)置于閃光放電管1的反射傘的底部側(cè)、以最大的光量的1/256的小光量發(fā)光500次時(shí)的在距閃光放電管1達(dá)1m的位置的明亮度按與平均值的差所繪制的圖形。橫軸表示發(fā)光次數(shù)。

這時(shí)，就圖7所示的光的曝光值(EV：ExposureValue)的分散而言，若設(shè)標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ，則計(jì)算出“3σ＝0.19EV”。其結(jié)果能夠判斷為，在將觸發(fā)電極2設(shè)置于閃光放電管1的反射傘10的底部側(cè)的頻閃裝置中、使閃光放電管1以小光量發(fā)光時(shí)，進(jìn)行分散性地發(fā)光。

就是說(shuō)，就將觸發(fā)電極2設(shè)置于反射傘的底部側(cè)的閃光放電管1而言，配光的范圍變窄、而且明亮度不均勻這樣的課題存在。

【先行技術(shù)文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)1】實(shí)開(kāi)昭60-141065號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的頻閃裝置，具備如下：在被攝物體側(cè)具有開(kāi)口部的反射傘；在反射傘內(nèi)所配置的圓筒形狀的閃光放電管；在閃光放電管的外周面所設(shè)置的第一觸發(fā)電極，第一觸發(fā)電極設(shè)置在閃光放電管的被攝物體側(cè)的外周面。

由此，向觸發(fā)電極外加觸發(fā)信號(hào)時(shí)，能夠使閃光放電管內(nèi)的離子化區(qū)域從閃光放電管的軸心向被攝物體側(cè)偏移。其結(jié)果是，由閃光放電管發(fā)射的閃光從反射傘的底部側(cè)直至開(kāi)口部側(cè)而大范圍地反射，能夠擴(kuò)大配光范圍。

另外，能夠?qū)崿F(xiàn)即使以小光量使之發(fā)光時(shí)，配光的范圍也大、且以固定的明亮度發(fā)光的頻閃裝置。

另外，本發(fā)明的攝像裝置搭載上述頻閃裝置。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)即使在被攝物體的位置靠近時(shí)，也能夠以適當(dāng)?shù)钠毓膺M(jìn)行拍攝的攝像裝置。

附圖說(shuō)明

圖1A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第一構(gòu)成的剖面圖。

圖1B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第二構(gòu)成的剖面圖。

圖1C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第三構(gòu)成的剖面圖。

圖1D是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第四構(gòu)成的剖面圖。

圖1E是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第五構(gòu)成的剖面圖。

圖1F是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第六構(gòu)成的剖面圖。

圖2是表示同實(shí)施方式的頻閃裝置的配光特性的圖。

圖3是表示同實(shí)施方式的頻閃裝置發(fā)射的光的平均值所對(duì)應(yīng)的曝光值的分散的圖。

圖4是表示頻閃裝置所具備的電路的一例的電路圖。

圖5A是現(xiàn)有的頻閃裝置的正視圖。

圖5B是現(xiàn)有的頻閃裝置的側(cè)視圖。

圖6是表示現(xiàn)有的頻閃裝置的配光特性的圖。

圖7是表示現(xiàn)有的頻閃裝置發(fā)射的光的平均值所應(yīng)的曝光值的分散的圖。

具體實(shí)施方式

一邊參照附圖，一邊對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置進(jìn)行說(shuō)明。還有，與背景技術(shù)中說(shuō)明的部分相同的部分，附加同一符號(hào)進(jìn)行說(shuō)明。另外本發(fā)明不受本實(shí)施方式限定。

(實(shí)施方式)

圖1A至圖1F是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第一至第六構(gòu)成的剖面圖。

即，如圖1A至圖1F所示，本實(shí)施方式的頻閃裝置，在設(shè)置于閃光放電管1的、例如由透明導(dǎo)電膜等構(gòu)成的第一觸發(fā)電極和第二觸發(fā)電極的配置構(gòu)成上具有特征。還有，本實(shí)施方式的頻閃裝置，具備與上述使用圖4說(shuō)明的驅(qū)動(dòng)電路同樣的驅(qū)動(dòng)電路，控制閃光放電管的發(fā)光等。另外，以下有將第一觸發(fā)電極和第二觸發(fā)電極統(tǒng)稱為觸發(fā)電極的情況。

本實(shí)施方式的頻閃裝置，具有至少具備第一觸發(fā)電極的閃光放電管和驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)由驅(qū)動(dòng)電路外加到觸發(fā)電極的電壓，而使閃光放電管1瞬間性地發(fā)光。

首先，使用圖1A，對(duì)于本實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第一構(gòu)成進(jìn)行以下說(shuō)明。

如圖1A所示，本實(shí)施方式的頻閃裝置由如下部件構(gòu)成：至少具有開(kāi)口部的反射傘10；在反射傘內(nèi)的焦點(diǎn)鄰域所配置的、例如圓筒形狀的閃光放電管1；未圖示的驅(qū)動(dòng)電路。反射傘10其截面為近拋物線形狀(包括拋物線形狀)，其開(kāi)口部以朝向被攝物體(雖未圖示，但在附圖中為右側(cè)方向)而發(fā)射閃光的方式設(shè)置。

閃光放電管1由如下構(gòu)成：設(shè)置于外周的第一觸發(fā)電極2a；從內(nèi)部向閃光放電管1的兩端面突出的主電極12；封入內(nèi)部的氙等的稀有氣體。就第一觸發(fā)電極2a而言，例如由ITO和SnO2等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成，且以閃光放電管1的圓筒形狀的縱長(zhǎng)方向的大約全長(zhǎng)、并跨越外周的大約半周(包括半周)，而設(shè)置于反射傘10的開(kāi)口部(被攝物體)側(cè)。另外，在閃光放電管1的與反射傘10的底部10a(距開(kāi)口部最遠(yuǎn)部分)對(duì)置的一側(cè)，具有未形成第一觸發(fā)電極2a的非電極部11。

然后，向如上述這樣構(gòu)成的頻閃裝置的第一觸發(fā)電極2a，從圖4所示的驅(qū)動(dòng)電路的觸發(fā)電路7外加電壓，則閃光放電管1內(nèi)的離子化區(qū)域，從作為軸心的主電極12偏移至設(shè)有第一觸發(fā)電極2a的被攝物體側(cè)而被形成。因此，由閃光放電管1發(fā)射的閃光，與離子化區(qū)域在反射傘10的底部10a側(cè)形成的情況相比，從反射傘10的底部10a側(cè)直到開(kāi)口部側(cè)而大范圍地反射。即，如圖1A所示，在反射傘10的相同位置進(jìn)行反射時(shí)，從被攝物體側(cè)所形成的離子化區(qū)域發(fā)射的光C，與從底部10a側(cè)所形成的離子化區(qū)域發(fā)射的光B相比，被更大范圍地配光。其結(jié)果是，能夠擴(kuò)大由頻閃裝置放射的來(lái)自閃光放電管1的閃光的配光范圍。

還有，本實(shí)施方式的頻閃裝置的情況下，若為了以小光量使閃光放電管1發(fā)光，而僅僅減小外加于第一觸發(fā)電極2a的能量(電壓)，則被攝物體側(cè)所設(shè)置的第一觸發(fā)電極2a成為障害，以期望的小光量發(fā)光變得困難。因此，需要加大外加于第一觸發(fā)電極2a的觸發(fā)信號(hào)的能量(電壓)。

因此，為了以小光量使之發(fā)光，以驅(qū)動(dòng)電路的觸發(fā)電路7，延長(zhǎng)外加于第一觸發(fā)電極2a的觸發(fā)信號(hào)所施加的時(shí)間、或者增大觸發(fā)信號(hào)的電壓。由此，能夠使閃光放電管1內(nèi)發(fā)生的離子化區(qū)域的位置穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)在均勻明亮度下的發(fā)光和在期望的小光量下的發(fā)光。

以下，使用圖2對(duì)于本實(shí)施方式的頻閃裝置的配光特性進(jìn)行說(shuō)明。

圖2是表示本實(shí)施方式的頻閃裝置的配光特性的圖。還有，圖2中，通過(guò)橫軸的光放射的角度θ、相對(duì)于此而縱軸的相對(duì)光度(明亮度)，表示頻閃裝置的配光特性。即，以光軸方向的光度作為1時(shí)的相對(duì)光度加以表示。而且，圖2的實(shí)線表示以最大的光量的1/256的小光量使頻閃裝置發(fā)光時(shí)的配光特性，圖2的虛線表示以最大的光量使頻閃裝置發(fā)光時(shí)的配光特性。

即，由圖2可知，根據(jù)本實(shí)施方式的頻閃裝置，以小光量發(fā)光時(shí)的配光的范圍(角度)，比以最大的光量發(fā)光時(shí)的配光的范圍(角度θ)有所擴(kuò)大。即，這被認(rèn)為是由于，小光量時(shí)的離子化區(qū)域比最大的光量時(shí)的離子化區(qū)域更靠被攝物體側(cè)偏移而形成。

接下來(lái)，使用圖3，對(duì)于本實(shí)施方式的頻閃裝置的平均值所對(duì)應(yīng)的曝光值(EV：ExposureValue)的分散進(jìn)行說(shuō)明。

圖3是表示本實(shí)施方式的頻閃裝置發(fā)射的光的平均值所應(yīng)對(duì)的曝光值的分散的圖。

還有，圖3中是在以最大的光量的1/256的小光量使頻閃裝置發(fā)光500次時(shí)的、距閃光放電管1達(dá)1m位置的曝光值EV按與平均值的差所繪制的圖形。橫軸表示發(fā)光次數(shù)。

這時(shí)，就圖3中所繪制的曝光值EV的分散而言，若設(shè)標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ，則計(jì)算為“3σ＝0.14EV”。

另一方面，如上述，圖7所示的現(xiàn)有的頻閃裝置的情況下，曝光值EV的分散為“3σ＝0.19EV”。

即，根據(jù)本實(shí)施方式的頻閃裝置，即使以小光量使之發(fā)光時(shí)，與現(xiàn)有的將觸發(fā)電極配置在閃光放電管1的反射傘10的底部10a側(cè)的頻閃裝置相比，也能夠減小曝光值EV的分散。其結(jié)果可知，本實(shí)施方式的頻閃裝置能夠以均勻的明亮度發(fā)光。

以下，使用圖1B至圖1F，對(duì)于本實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管1的第二至第六構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。

首先，圖1B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第二構(gòu)成的剖面圖。

如圖1B所示，第二構(gòu)成的閃光放電管1，是使圖1A的第一構(gòu)成中所示的、在大約半周(包括半周)所設(shè)置的第一觸發(fā)電極2b，在沿閃光放電管1的周向、且相對(duì)于點(diǎn)劃線A向反射傘10的底部10a側(cè)旋轉(zhuǎn)了例如超過(guò)0度、為40度左右的位置，設(shè)置于被攝物體側(cè)。另一方面，非電極部11，在反射傘10的開(kāi)口部側(cè)沿周向使之旋轉(zhuǎn)了的位置形成。還有，在圖1B中，說(shuō)明的是將第一觸發(fā)電極2b在使之逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的位置設(shè)置的例子，但也可以相反，成為在順時(shí)針使之旋轉(zhuǎn)的位置設(shè)置第一觸發(fā)電極2b的構(gòu)成。由此，使閃光放電管1內(nèi)的離子化區(qū)域從作為閃光放電管1的軸心的主電極12向被攝物體側(cè)偏移，而使配光的范圍能夠擴(kuò)大。

另外，圖1C表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第三構(gòu)成的剖面圖。

如圖1C所示，就第三構(gòu)成的閃光放電管1而言，將第一觸發(fā)電極2c沿著閃光放電管1的周向、例如以270度左右的反C字狀從被攝物體側(cè)進(jìn)行設(shè)置。這時(shí)，第一觸發(fā)電極2c其設(shè)置方式為，相對(duì)于點(diǎn)劃線A，從閃光放電管1的周向的上下(點(diǎn)劃線A方向)環(huán)繞至反射傘10的底部10a側(cè)。另一方面，非電極部11，與閃光放電管1的反射傘10的底部10a對(duì)置，例如形成為帶狀。由此，使閃光放電管1內(nèi)的離子化區(qū)域從作為閃光放電管1的軸心的主電極12向被攝物體側(cè)偏移，能夠擴(kuò)大配光的范圍。

另外，圖1D是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第四構(gòu)成的剖面圖。

如圖1D所示，就第四構(gòu)成的閃光放電管1而言，將第一觸發(fā)電極2d沿閃光放電管1的周向、在側(cè)面中心上以例如30度以上且低于180度呈一條帶狀地設(shè)置于被攝物體側(cè)。另一方面，非電極部11，環(huán)繞至閃光放電管1的被攝物體側(cè)，例如形成為C字狀。由此，使閃光放電管1內(nèi)的離子化區(qū)域從作為閃光放電管1的軸心的主電極12向被攝物體側(cè)偏移，能夠擴(kuò)大配光的范圍。

另外，圖1E是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第五構(gòu)成的剖面圖。

如圖1E所示，就第五構(gòu)成的閃光放電管1而言，將第一觸發(fā)電極2e在閃光放電管1的縱長(zhǎng)方向(相對(duì)于圖1E的紙面垂直的方向)的被攝物體側(cè)以帶狀設(shè)置例如2個(gè)。另一方面，將非電極部11在2個(gè)第一觸發(fā)電極2e之間、和反射傘10的底部10a側(cè)的閃光放電管1的外周形成為帶狀。還有，在圖1E中，以第一觸發(fā)電極2e是2個(gè)的情況為例進(jìn)行說(shuō)明，但也可以是3個(gè)以上。由此，使閃光放電管1內(nèi)的離子化區(qū)域從作為閃光放電管1的軸心的主電極12向被攝物體側(cè)偏移，能夠擴(kuò)大配光的范圍。。

另外，圖1F是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頻閃裝置的閃光放電管的第六構(gòu)成的剖面圖。

如圖1F所示，就第六構(gòu)成的閃光放電管1而言，將第一觸發(fā)電極2f以閃光放電管1的圓筒形狀的縱長(zhǎng)方向的大約全長(zhǎng)并跨越外周的大約半周(包括半周)，設(shè)置于反射傘10的開(kāi)口部(被攝物體)側(cè)。此外，在與反射傘10的底部10a對(duì)置的閃光放電管1的外周，例如設(shè)有1個(gè)第二觸發(fā)電極2g。即，在閃光放電管1的外周部的、與反射傘10的開(kāi)口部對(duì)置的底部側(cè)，設(shè)置有比被攝物體側(cè)的第一觸發(fā)電極2f的面積狹窄的第二觸發(fā)電極2g。另一方面，將非電極部11在閃光放電管1的反射傘10的底部10a側(cè)、在第一觸發(fā)電極2f和第二觸發(fā)電極2g之間形成2列。還有，在圖1F中，說(shuō)明的是設(shè)有1個(gè)第二觸發(fā)電極2g的例子，但也可以在反射傘10的底部10a側(cè)設(shè)置2個(gè)以上、非電極部11設(shè)置3列以上。就是說(shuō)，只要是第二觸發(fā)電極2g的面積比第一觸發(fā)電極2f的面積小、且對(duì)第一觸發(fā)電極2f的作用沒(méi)有影響的構(gòu)成，配置構(gòu)成任意。由此，使閃光放電管1內(nèi)的離子化區(qū)域從作為閃光放電管1的軸心的主電極12向被攝物體側(cè)偏移，能夠擴(kuò)大配光的范圍。。

根據(jù)上述說(shuō)明的具有本實(shí)施方式的第二至第六構(gòu)成的閃光放電管，能夠?qū)崿F(xiàn)與使用圖1A說(shuō)明的第一構(gòu)成的閃光放電管同樣的作用、效果。即，若從圖4所示的驅(qū)動(dòng)電路的觸發(fā)電路7外加電壓，則閃光放電管1內(nèi)的離子化區(qū)域，從作為軸心的主電極12向設(shè)有第一觸發(fā)電極2a～2f的被攝物體側(cè)偏移地形成。因此，由閃光放電管1發(fā)射的閃光，與離子化區(qū)域形成于反射傘10的底部10a側(cè)的情況相比，從反射傘10的底部10a側(cè)直至開(kāi)口部側(cè)而大范圍地反射。其結(jié)果如使用圖2所說(shuō)明的，能夠擴(kuò)大由頻閃裝置放射的來(lái)自閃光放電管1的閃光的配光范圍。

另外，與第一構(gòu)成的閃光放電管同樣，通過(guò)延長(zhǎng)外加于第一觸發(fā)電極的觸發(fā)信號(hào)所施加的時(shí)間、或者加大觸發(fā)信號(hào)的電壓，能夠以小光量使之發(fā)光。由此，如使用圖3所說(shuō)明的，能夠使閃光放電管1內(nèi)發(fā)生的離子化區(qū)域的位置穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)在均勻明亮度下的發(fā)光和在期望的小光量下的發(fā)光。

還有，本發(fā)明并不限定為上述實(shí)施方式，而是可以進(jìn)行各種變更。例如，也可以是如圖1F所示的構(gòu)成，即，在被攝物體側(cè)設(shè)置多個(gè)帶狀的第一觸發(fā)電極2e，再在反射傘10的底部10a側(cè)設(shè)置1個(gè)帶狀的第二觸發(fā)電極2g。另外，也可以將設(shè)置于被攝物體側(cè)的近拋物線形狀的第一觸發(fā)電極分割成3個(gè)以上，在第一觸發(fā)電極間形成多個(gè)帶狀的非電極部11。這種情況下，也可以在圖4所示的驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置多個(gè)觸發(fā)電路7，對(duì)于全部的第一觸發(fā)電極和第二觸發(fā)電極同時(shí)外加觸發(fā)信號(hào)而加以驅(qū)動(dòng)。另外，也可以只向特定的1個(gè)或多個(gè)第一觸發(fā)電極和第二觸發(fā)電極外加觸發(fā)信號(hào)而進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式，說(shuō)明的是第一觸發(fā)電極和第二觸發(fā)電極由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的例子，但并不限于此。例如，也可以由鋁、金、銀、銅等的金屬材料及其合金材料構(gòu)成。由此，利用蒸鍍法等，能夠簡(jiǎn)單地形成例如在低阻抗下均勻膜厚的第一觸發(fā)電極和第二觸發(fā)電極。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式，以反射傘的形狀在截面下為近拋物線形狀為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此。例如，在截面下為多角形和球形等，只要是由閃光放電管放射的閃光從開(kāi)口部照射到被攝物體的形狀，則配光擴(kuò)大的形狀任意。

本發(fā)明的頻閃裝置，具備如下：在被攝物體側(cè)具有開(kāi)口部的反射傘；在反射傘內(nèi)所配置的閃光放電管；在光放電管的外周面所設(shè)置的第一觸發(fā)電極，第一觸發(fā)電極設(shè)置在閃光放電管的被攝物體側(cè)的外周面。

由此，向第一觸發(fā)電極外加觸發(fā)信號(hào)時(shí)，能夠使閃光放電管內(nèi)的離子化區(qū)域從閃光放電管的軸心向被攝物體側(cè)偏移，其結(jié)果是，使閃光放電管所發(fā)射的閃光，從反射傘的底部側(cè)至開(kāi)口部側(cè)而大范圍地反射，能夠?qū)崿F(xiàn)配光范圍寬闊的頻閃裝置。

另外，本發(fā)明的頻閃裝置，第一觸發(fā)電極由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。由此，透過(guò)第一觸發(fā)電極的直接的光，能夠與被反射傘反射的光一起照射被攝物體。

另外，本發(fā)明的頻閃裝置，第一觸發(fā)電極以覆蓋閃光放電管的外周面的至少半周的方式設(shè)置。由此，能夠防止在向細(xì)小的多個(gè)第一觸發(fā)電極外加觸發(fā)信號(hào)時(shí)發(fā)生的、閃光放電管的局部的應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)可靠性優(yōu)異的頻閃裝置。

另外，本發(fā)明的頻閃裝置，將第一觸發(fā)電極在閃光放電管的外周面上設(shè)置多個(gè)。由此，能夠減少第一觸發(fā)電極對(duì)閃光的吸收，從第一觸發(fā)電極之間，使閃光放電管閃爍發(fā)光的光直接放射到被攝物體側(cè)。其結(jié)果是，在相同的驅(qū)動(dòng)電功率的情況下，能夠增加照射到被攝物體上的光量。另一方面，光量相同時(shí)，能夠減少驅(qū)動(dòng)功率，降低能耗。

另外，本發(fā)明的頻閃裝置，在與反射傘的開(kāi)口部對(duì)置的底部側(cè)的、閃光放電管的外周部，設(shè)置有比被攝物體側(cè)的第一觸發(fā)電極的面積小的第二觸發(fā)電極。由此，能夠使閃光放電管內(nèi)的離子化區(qū)域向被攝物體側(cè)偏移，擴(kuò)大配光的范圍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)以均勻的明亮度發(fā)光的頻閃裝置。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明的頻閃裝置，能夠有效地利用于構(gòu)成數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)的攝像裝置等。

【符號(hào)說(shuō)明】

1閃光放電管

2觸發(fā)電極

2a、2b、2c、2d、2e、2f第一觸發(fā)電極

2g第二觸發(fā)電極

3蓄電元件

4電池電源

5升壓變換電路

6控制部

7觸發(fā)電路

8開(kāi)關(guān)電路

9非涂布部

10反射傘

10a底部

11非電極部

12主電極